09.77.19.62.10
Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
0
Catégories de produits :
Audio
>
315
Automatisme
>
19
Câbles
>
1775
Coffrets et boîtiers
>
1218
Composants passifs
>
14499
Connecteurs
>
5696
Dépannage
>
2247
Electronique de loisirs
>
542
Energie
>
1355
Informatique
>
58
Interrupteurs
>
976
Optoélectronique
>
2023
Outillage
>
1404
Pièces mécaniques
>
444
Protection électrique
>
1160
Refroidissement
>
764
Relais
>
874
Semi-conducteurs
>
14645
Transformateurs
>
568
Semi-conducteurs Transistors

Transistor BC303

Transistor BC303
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantité HT TTC
1 - 4 0.62€ 0.74€
5 - 9 0.58€ 0.70€
10 - 24 0.55€ 0.66€
25 - 49 0.52€ 0.62€
50 - 99 0.51€ 0.61€
100 - 249 0.50€ 0.60€
250 - 357 0.47€ 0.56€
Quantité U.P
1 - 4 0.62€ 0.74€
5 - 9 0.58€ 0.70€
10 - 24 0.55€ 0.66€
25 - 49 0.52€ 0.62€
50 - 99 0.51€ 0.61€
100 - 249 0.50€ 0.60€
250 - 357 0.47€ 0.56€
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Quantité en stock : 357
Lot de 1

Transistor BC303. Transistor. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -60V. C (in): -0.5A. C (out): 0.85W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.65 MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.5A. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.85W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tension de saturation VCE(sat): 0.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 2728
BC640

BC640

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: P...
BC640
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639. Diode BE: non. Diode CE: non
BC640
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
0.20€ TTC
(0.17€ HT)
0.20€
Quantité en stock : 4412
2SA1013

2SA1013

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: CT...
2SA1013
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1A. Marquage sur le boîtier: A1013. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Diode BE: non. Diode CE: non
2SA1013
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1A. Marquage sur le boîtier: A1013. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
0.41€ TTC
(0.34€ HT)
0.41€
Quantité en stock : 6064
2N5401

2N5401

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDE...
2N5401
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N5401. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401
2N5401
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N5401. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401
Lot de 10
1.21€ TTC
(1.01€ HT)
1.21€

Nous vous recommandons aussi :

Quantité en stock : 7621
2N5551

2N5551

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit impr...
2N5551
[LONGDESCRIPTION]
2N5551
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.12€ TTC
(0.10€ HT)
0.12€
Quantité en stock : 250
2SC5200

2SC5200

Transistor. C (out): 200pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 M...
2SC5200
[LONGDESCRIPTION]
2SC5200
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
8.56€ TTC
(7.13€ HT)
8.56€
Quantité en stock : 281
2SA1943

2SA1943

Transistor. C (out): 360pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-c...
2SA1943
[LONGDESCRIPTION]
2SA1943
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
7.49€ TTC
(6.24€ HT)
7.49€
Quantité en stock : 153
MJE15030G

MJE15030G

Transistor. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance...
MJE15030G
[LONGDESCRIPTION]
MJE15030G
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.40€ TTC
(2.00€ HT)
2.40€
Quantité en stock : 132
MJE15031G

MJE15031G

Transistor. Boîtier: TO-220. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -150V. C (in):...
MJE15031G
[LONGDESCRIPTION]
MJE15031G
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.44€ TTC
(2.03€ HT)
2.44€
Quantité en stock : 111
2SA1837

2SA1837

Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MH...
2SA1837
[LONGDESCRIPTION]
2SA1837
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.39€ TTC
(1.16€ HT)
1.39€
Quantité en stock : 786
MPSA42

MPSA42

Transistor. C (out): 3pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. G...
MPSA42
[LONGDESCRIPTION]
MPSA42
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.18€ TTC
(0.15€ HT)
0.18€
Quantité en stock : 10273
1N4004

1N4004

Diode. RoHS: oui. Boîtier: DO-41. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Ano...
1N4004
[LONGDESCRIPTION]
1N4004
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0431€ TTC
(0.0359€ HT)
0.0431€
Quantité en stock : 27
2SC4793

2SC4793

Transistor. C (out): 20pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 M...
2SC4793
[LONGDESCRIPTION]
2SC4793
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.23€ TTC
(1.86€ HT)
2.23€
Quantité en stock : 107
NJM4558D

NJM4558D

Amplificateur opérationnel. Fonction: Amplificateur opérationnel. Remarque: OP-IC. Remarque: 158 s...
NJM4558D
[LONGDESCRIPTION]
NJM4558D
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.41€ TTC
(2.01€ HT)
2.41€

Renseignements et aide technique

Par téléphone : 09.77.19.62.10
Par email
Conditions générales de vente

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

S'abonner à la newsletter

J'accepte de recevoir des emails, et je comprends que je peux me désabonner à tout moment après inscription.

Tous droits réservés, RPtronics, 2024.