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Transistor IGBT 1200V 100A APT2X100D20J
Référence produit : APT2X100D20J
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 43.74 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 100A (par interrupteur) |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ) @ 100A, 25°C |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V (typ) |
Description technique du produit (APT2X100D20J):
Transistor IGBT 1200V 100A APT2X100D20J. IGBT NPT double conçu pour les applications de commutation à haute vitesse. Il offre de faibles pertes par conduction et par commutation, une robustesse élevée à l'avalanche et un coefficient de température positif pour un parallélisme facile.