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Advanced Power
Transistor MOSFET Canal N 40V 10A AP4525GEH
Référence produit : AP4525GEH
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.45 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 40V |
| Courant de drain continu | 10A |
| Résistance à l'état passant | 10mΩ (max @ Vgs=10V) |
| Tension de seuil de grille | 1.0V à 2.5V |
| Charge de grille totale | 12nC (typ @ Vgs=10V) |
Description technique du produit (AP4525GEH):
Transistor MOSFET Canal N 40V 10A AP4525GEH. Transistor MOSFET de puissance à double canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il intègre deux MOSFETs dans un seul boîtier.