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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode 70HF80

Diode 70HF80
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Diode 70HF80. Diode. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 800V. Remarque: filetage M6. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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Diode. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. IRM (max): 4.5mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 1600V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)
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