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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SD2499

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SD2499
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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SD2499. Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 12:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 54
2SD2499-PMC

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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO...
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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 5V
2SD2499-PMC
Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 5V
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