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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors

Transistor 2SC5386

Transistor 2SC5386
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1 - 4 4.36€ 5.23€
5 - 9 4.14€ 4.97€
10 - 17 3.93€ 4.72€
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Transistor 2SC5386. Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Fonction: High Switching, Horizontal Deflection out. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 4.3. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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2SC5387

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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 3V ma...
2SC5387
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 3V max. Courant de collecteur: 10A. Remarque: 'Triple Diffused MESA Type'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)
2SC5387
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 3V max. Courant de collecteur: 10A. Remarque: 'Triple Diffused MESA Type'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)
Lot de 1
3.04€ TTC
(2.53€ HT)
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KSC5386TU

KSC5386TU

Transistor. Résistance BE: 10. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Q...
KSC5386TU
Transistor. Résistance BE: 10. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: High Switching 0.1us. Gain hFE maxi: 22. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 4.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Boîtier: TO-3PF (SOT399). Diode BE: non. Diode CE: oui
KSC5386TU
Transistor. Résistance BE: 10. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: High Switching 0.1us. Gain hFE maxi: 22. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 4.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Boîtier: TO-3PF (SOT399). Diode BE: non. Diode CE: oui
Lot de 1
10.08€ TTC
(8.40€ HT)
10.08€

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