Transistor 2SB861

Transistor 2SB861. Transistor. Résistance B: 10. Résistance BE: 47. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor PNP. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1138. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.