Transistor 2SA1370

Transistor 2SA1370. Transistor. C (in): 1.7pF. C (out): 2.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Fonction: vidéo. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.