Transistor 2N2369A

Transistor 2N2369A. Transistor. Résistance B: oui. Diode BE: transistor NPN. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-18. C (out): TO-18. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 500 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.2A. Ic(puls): 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.