Transistor 2N2219A

Transistor 2N2219A. Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.