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Transistor FET canal P -30V -0.05A 2N5116

Référence produit : 2N5116
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Caractéristiques techniques

3 paramètres
Tension drain-source maximale-30V
Courant de drain continu-50mA
Tension de seuil (Vgs(off))-1.0V à -6.0V

Description technique du produit (2N5116):

Transistor FET canal P -30V -0.05A 2N5116. Transistor JFET à canal P conçu pour des applications d'amplification et de commutation à faible bruit. Il offre une haute impédance d'entrée et une bonne linéarité.