Modules IGBT

Module IGBT. Type de canal: N. Fonction: 6 x IGBT For Power Management. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 8A. Remarque: pilote de moteur triphasé AC. Fréquence: 20kHz. Nombre de connexions: 24. Dissipation de puissance maxi: 21.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 685 ns. Td(on): 605 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Module IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G60T120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 60A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 480 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 375W. Courant de collecteur maxi (A): 150A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Boîtier (norme JEDEC): non

Module IGBT. C (in): 1800pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: H30MR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 330 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Fonction: cuisson par induction, fours à micro-ondes. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Module IGBT. C (in): 825pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Marquage sur le boîtier: GB14C40L. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 1.3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2.2V. Nombre de connexions: 3. Remarque: > 6KV ESD Gate Protection. Remarque: résistances intégrées R1 G (75 Ohms), R2 GE (20k Ohms). Unité de conditionnement: 50. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Diode CE: non. Diode au Germanium: oui

Module IGBT. C (in): 3025pF. C (out): 245pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Courant de collecteur: 90A. Ic(puls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Module IGBT. C (in): 760pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Courant de collecteur: 480A. Ic(puls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1630W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 226 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Tension grille - émetteur VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Module IGBT. C (in): 9830pF. C (out): 570pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: IGBT haute vitesse pour la commutation 20-50kHz. Courant de collecteur: 310A. Ic(puls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marquage sur le boîtier: IXYK140N90C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1630W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 145 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Tension grille - émetteur VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Module IGBT. C (in): 1600pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Fonction: 3 CH. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Nombre de connexions: 17. Dimensions: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: oui. Poids: 170g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 400 ns. Td(on): 70 ns. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Module IGBT. C (in): 2870pF. C (out): 295pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60KD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Module IGBT. C (in): 8000pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 74 ns. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: GW60V60DF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 375W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Boîtier: TO-247. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non