Transistor NDP6020P

Transistor NDP6020P. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDP6020P. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1590pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.