Rechercher "P-SUP-PS65-12"

Nous vous proposons une sélection de 1000+ produits pouvant correspondre à votre recherche de "P-SUP-PS65-12". Vous pouvez resserrer cette recherche par types de catégories, ci-dessous:

25LC256-I-P

25LC256-I-P

Circuit intégré mémoire 25LC256-I-P. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Boîtier: DIP. Fonction: mémoire EEPROM CMOS à bus série. basse consommation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Mémoire EEPROM: 32Kx8 ( 256K bit ). Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Signal d'horloge: 10 MHz. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V...

3.63€
+56 rapidement
Quantité en stock: 10
25LC640A-I-P

25LC640A-I-P

Circuit intégré mémoire 25LC640A-I-P. Boîtier: DIP8. Capacité mémoire: 64kbit. Fréquence d'horloge: 10MHz. Interface: SPI. Montage/installation: THT. Nombre de cycles: 1M, 1000000. Organisation de la mémoire: 8kx8bit. RoHS: non. Temps d'accès: 5ms. Température de fonctionnement: -40...85°C. Tension de fonctionnement: 2.5...5.5V. Type de circuit intégré: Mémoire. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM...

1.82€
+25 rapidement
Quantité en stock: 96
2N3820

2N3820

Transistor canal P 2N3820, TO-92, 15mA, -20V, TO-92, 20V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Idss (maxi): 15mA. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 20V. C (in): 32pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. IGF: 10mA. Idss (min): 0.3mA. Marquage du fabricant: 2N3820. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Epitaxial. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Tension grille/source VGS (off) max.: 8V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: JFET...

0.71€
+964 rapidement
Quantité en stock: 37
2SJ119

2SJ119

Transistor canal P 2SJ119, TO-3P, -160V. Boîtier: TO-3P. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -160V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1050pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: J119. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -5V...

19.38€
Quantité en stock: 3
2SJ407

2SJ407

Transistor canal P 2SJ407, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 200V. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 20A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.48€
Produit obsolète
En rupture de stock
2SJ449

2SJ449

Transistor canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1040pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

2.44€
Quantité en stock: 3
2SJ512

2SJ512

Transistor canal P 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 800pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: 'Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance'. Id(imp): 20A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 205 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

2.62€
Quantité en stock: 17
2SJ584

2SJ584

Transistor canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

1.82€
Quantité en stock: 101