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AO3404A

Transistor canal N AO3404A, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 4.9A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 23.4m Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 621pF. C (out): 118pF. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 15.1 ns. Td(on): 4.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

AO3407A

Transistor canal N AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4.1A. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 520pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

AO3416

Transistor canal N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 18M Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 1160pF. C (out): 187pF. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Protection ESD. Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 17.7 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V...

AO4262E

Transistor canal N AO4262E, SO8. Boîtier: SO8. : 'enhanced'. Charge: 15nC. Courant de drain: 13A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Protection ESD. Puissance: 2W. RoHS: oui. Tension drain - source: 60V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

AO4264E

Transistor canal N AO4264E, SO8. Boîtier: SO8. : 'enhanced'. Charge: 7nC. Courant de drain: 10.5A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Protection ESD. Puissance: 2W. RoHS: oui. Tension drain - source: 60V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

AO4266E

Transistor canal N AO4266E, SO8. Boîtier: SO8. : 'enhanced'. Charge: 6.5nC. Courant de drain: 8.5A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. RoHS: oui. Tension drain - source: 60V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

AO4268

Transistor canal N AO4268, SO8. Boîtier: SO8. : 'enhanced'. Charge: 21nC. Courant de drain: 14.5A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. RoHS: oui. Tension drain - source: 60V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: 'enhanced'. Type de transistor: N-MOSFET...

AO4407A

Transistor canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2060pF. C (out): 370pF. Charge: 30nC. Courant de drain: -12A, -10A. Dissipation de puissance maxi: 1.7W. Id (T=100°C): 7.4A. Id(imp): 60A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4407A. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0085 Ohms. Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±25V. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V...

AO4427

Transistor canal P AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 480pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id (T=100°C): 10.5A. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0094 Ohms. Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V...

AO4430

Transistor canal N AO4430, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0047 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6060pF. C (out): 638pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance de grille ultra-faible. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33.5 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

AO4600

AO4601

AO4604

AO4606

Transistor MOSFET AO4606. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 28/35m Ohms. Spec info: remplace le MOSFET. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Type de canal: N-P...

AO4607

AO4611

AO4614B

AO4617

AO4619

AO4620

AO4710

Transistor canal N AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12.7A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1980pF. C (out): 317pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Fonction: FET dans SMPS, commutation de charge. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.02mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 11.2 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V...

AO4714

Transistor canal N AO4714, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0039 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3760pF. C (out): 682pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Id(imp): 100A. Idss (min): 0.1mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 34 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.5V...

AO4716

Transistor canal N AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2154pF. C (out): 474pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.1mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V...

AO4800

Transistor canal N AO4800, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 6nC. Courant de drain: 6.9A. Montage/installation: SMD. Nombre de sorties: 2. Polarité: unipolaire. RoHS: oui. Technologie: MOSFET. Température de fonctionnement: -55...150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±12V. Type de transistor: N-MOSFET x2...