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HS503K3J

HS503K3J

Résistance HS503K3J, 3.3k Ohms, 50W. Résistance: 3.3k Ohms. Puissance: 50W. Boîtier (selon fiche technique): Boîtier métallique avec ailettes de refroidissement. Brochage: connexions à souder sur câble. Configuration: montage horizontal avec connexions axiales. Ininflammable: 0. Montage/installation: à visser. RoHS: oui. Stabilité en tempéraure: 50ppm/°C. Série: HS50. Tension de fonctionnement: 1250V. Tolérance: 5%. Type de résistance: enroulement de fil électrique...

5.11€
Quantité en stock: 7
IC-SW-28P-UNI

IC-SW-28P-UNI

Support de circuit intégré IC-SW-28P-UNI. Charge maxi: 50V 100mA. Distance entre connexions (pas): 7.62mm...15.24mm. Equivalences: TEXTOOL28-U. Matériau de revêtement du contact: Plaqué or. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Support/douille: plaques à ressort. Température de fonctionnement: -40...+105°C...

10.41€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
ICL7136CPLZ

ICL7136CPLZ

Circuit intégré ICL7136CPLZ. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-40. Boîtier: DIP40. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Famille de composants: circuit intégré d'interface. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre d'entrées analogiques: 2. Nombre de bornes: 40. Nombre de connexions: 40. Précision: 3.5-digit. RoHS: oui. Température maxi: +70°C.. Tension de référence interne: -. Type d'entrées analogiques: différentiel. Type d'interface: Pilote d'afficheur LCD. Type de circuits: Convertisseur analogique/numérique avec pilote d'affichage. [V]: +15V. [sample]: 333ms...

17.18€
Quantité en stock: 7
IRF2903ZS

IRF2903ZS

Transistor canal N IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6320pF. C (out): 1980pF. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.88€
Quantité en stock: 7
IRF9520

IRF9520

Transistor canal P IRF9520, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 390pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 4.8A. Id(imp): 27A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 98 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.21€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
IRF9520NPBF

IRF9520NPBF

Transistor canal P IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -100V. Courant de drain maxi: 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -6.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRF9520. Nombre de bornes: 3. Puissance: 40W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

2.07€
+7 rapidement
Quantité en stock: 1710
IRLD024

IRLD024

Transistor canal N IRLD024, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): HVMDIP ( DIP-4 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 870pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Divers: Dynamic dv/dt Rating. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.32€
Quantité en stock: 7
IXTH5N100A

IXTH5N100A

Transistor canal N IXTH5N100A, TO-247AD, 1 kV. Boîtier: TO-247AD. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IXTH5N100A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

21.90€
Quantité en stock: 7