Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1

Quantité

Prix unitaire

1-1

13.14€

2-3

11.79€

4-5

10.75€

6-29

9.74€

30+

9.70€

Quantité en stock: 7

Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Boîtier: TO-247AC. Courant de collecteur: 50A. Diode intégrée: oui. Puissance: 326W. Tension drain - source: 1200V. Type de transistor: transistor IGBT. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 17:21

Documentation technique (PDF)

IKW25N120H3FKSA1

7 paramètres

Boîtier

TO-247AC

Courant de collecteur

50A

Diode intégrée

oui

Puissance

326W

Tension drain - source

1200V

Type de transistor

transistor IGBT

Produit d'origine constructeur

Infineon Technologies