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AF4502C

Transistor MOSFET AF4502C. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Fonction: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Marquage sur le boîtier: 4502C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Type de canal: N-P...

AO4600

AO4601

AO4604

AO4606

Transistor MOSFET AO4606. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 28/35m Ohms. Spec info: remplace le MOSFET. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Type de canal: N-P...

AO4607

AO4611

AO4614B

AO4619

AO4620

AOP605

AOP607

AP4501GM

Transistor MOSFET AP4501GM. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Marquage sur le boîtier: 4501GM. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Type de canal: N-P...

AP4506GEH

AP4511GD

AP4511GM

AP4525GEH

AP4525GEM

AP9930GM

Transistor MOSFET AP9930GM. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Fonction: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 4. RoHS: oui. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P...

APM4546J

Transistor MOSFET APM4546J. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Boîtier: DIP. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. RoHS: oui. Technologie: 'Enhancement Mode DUAL MOSFET (N-and P-Channel)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P...

BSS8402DW

FDC6420C

FDS4559

Transistor MOSFET FDS4559. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: transistor canal N (Q1), transistor canal P (Q2). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P. Unité de conditionnement: 2500...

FDS8958A

Transistor MOSFET FDS8958A. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Type de canal: N-P...