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2N3820

Transistor canal P 2N3820, TO-92, 15mA, -20V, TO-92, 20V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Idss (maxi): 15mA. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 20V. C (in): 32pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. IGF: 10mA. Idss (min): 0.3mA. Marquage du fabricant: 2N3820. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Epitaxial. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Tension grille/source VGS (off) max.: 8V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: JFET...

2N5116

Transistor canal P 2N5116, 6mA, 6mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18. Id (T=25°C): 6mA. Idss (maxi): 6mA. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Fonction: P-FET S. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1...

2SJ119

Transistor canal P 2SJ119, TO-3P, -160V. Boîtier: TO-3P. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -160V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1050pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: J119. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -5V...

2SJ407

Transistor canal P 2SJ407, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 200V. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 20A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2SJ449

Transistor canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1040pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

2SJ512

Transistor canal P 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 800pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: 'Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance'. Id(imp): 20A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 205 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

2SJ584

Transistor canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

2SJ598

Transistor canal P 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 720pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 23W. Fonction: diode de protection intégrée. Id(imp): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS à canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

2SJ79

Transistor canal P 2SJ79, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 500mA. Idss (maxi): 500mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: transistor complémentaire (paire) 2SK216. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Type de canal: P. Type de transistor: FET...

ALF08P20V

Transistor canal P ALF08P20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Idss (min): 10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08N20V. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

AO3401

Transistor canal P AO3401, SOT23. Boîtier: SOT23. Charge: 7nC. Courant de drain: -4A. Montage/installation: SMD. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. RoHS: oui. Technologie: MOSFET. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±12V. Type de transistor: P-MOSFET...

AO3401-CF

Transistor canal P AO3401-CF, SOT23. Boîtier: SOT23. Charge: 9.4nC. Courant de drain: -4.2A. Montage/installation: SMD. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. RoHS: oui. Technologie: MOSFET. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±12V. Type de transistor: P-MOSFET...

AO3401A

Transistor canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. : 'enhanced'. C (in): 933pF. C (out): 108pF. Charge: 7nC. Courant de drain: -4A. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: faible charge d'entrée. Id (T=100°C): 3.8A. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.4W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±12V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 21 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V...

AO4407A

Transistor canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2060pF. C (out): 370pF. Charge: 30nC. Courant de drain: -12A, -10A. Dissipation de puissance maxi: 1.7W. Id (T=100°C): 7.4A. Id(imp): 60A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4407A. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0085 Ohms. Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±25V. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V...

AO4427

Transistor canal P AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 480pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id (T=100°C): 10.5A. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0094 Ohms. Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V...

AO4617

AO4805

Transistor canal P AO4805, SO8. Boîtier: SO8. : 'enhanced'. Charge: 30nC. Courant de drain: -7A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 1.3W. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±25V. Type de transistor: P-MOSFET x2...

AO4813

Transistor canal P AO4813, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 9.6nC. Courant de drain: -5.6A. Montage/installation: SMD. Nombre de sorties: 2. Polarité: unipolaire. Puissance: 1.3W. RoHS: oui. Technologie: MOSFET. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: P-MOSFET x2...

AOD403

Transistor canal P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4360pF. C (out): 1050pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 100W. Id (T=100°C): 65A. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.01uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 39.5 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

AOD405

Transistor canal P AOD405, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 920pF. C (out): 190pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 60W. Id (T=100°C): 18A. Id(imp): 40A. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D405. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 24.5m Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) AOD408. Td(off): 20 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 21.4 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) min.: 1.2V...

AOD409

Transistor canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. : 'enhanced'. C (in): 2977pF. C (out): 241pF. Charge: 22.2nC. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: -18A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Id (T=100°C): 18A. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.003uA. Marquage sur le boîtier: D409. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 32m Ohms. Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: -60V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V...

AP4415GH

Transistor canal P AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 35V. C (in): 990pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Id (T=100°C): 15A. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

AP9575AGH

Transistor canal P AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1440pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: -. Id (T=100°C): 11A. Id(imp): 60A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 43 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

AP9575GP

Transistor canal P AP9575GP, 10A, 250uA, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. Fonction: -. Id (T=100°C): 16A. Id(imp): 60A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...