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MTP50P03HDLG

Transistor canal P MTP50P03HDLG, TO-220AB, -30V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 117 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: M50P03HDLG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V...

NDP6020P

Transistor canal P NDP6020P, -20V. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1590pF. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Marquage du fabricant: NDP6020P. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.7V...

NDS0610

Transistor canal P NDS0610, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Id (T=25°C): 0.12A. Idss (maxi): 200uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 60V. C (in): 79pF. C (out): 10pF. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Fonction: commutateur de signal faible à canal P contrôlé en tension, conception de cellule haute densité pour un faible RDS (ON). Id(imp): 1A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 610. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 610. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. Td(off): 10 ns. Td(on): 2.5 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V...

NDS332P

Transistor canal P NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SSOT. Boîtier (selon fiche technique): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 195pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. IGF: 1A. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Td(off): 25 ns. Td(on): 8 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V...

NDS352AP

Transistor canal P NDS352AP, SOT-23, -30V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 135pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: NDS352APRL. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V...

NDS9948

Transistor canal P NDS9948, 2.3A, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 2.3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Double canal P et P 60 V. Id(imp): 10A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 2xP-CH 60V. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: P. Unité de conditionnement: 2500...

NDT452AP

Transistor canal P NDT452AP, SOT-223, -30V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: NDT452AP. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.8V...

NDT456P

Transistor canal P NDT456P, SOT-223, -30V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -7.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: NDT456P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...

NTD20P06LT4G

Transistor canal P NTD20P06LT4G, D-PAK, TO-252, -60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -15.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: 20P06LG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V...

NTD2955-1G

Transistor canal P NTD2955-1G, TO-251 ( I-Pak ), -60V, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), 60V. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 500pF. C (out): 150pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 750pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Dissipation de puissance maxi: 55W. Dissipation maximale Ptot [W]: 55W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage du fabricant: NT2955G. Marquage sur le boîtier: NT2955. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.155 Ohms. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

NTD2955-T4G

Transistor canal P NTD2955-T4G, D-PAK, TO-252, -60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 750pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 55W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: NT2955G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

NTD2955T4

Transistor canal P NTD2955T4, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 500pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 55W. Fonction: ID pulse 36A/10ms. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: NT2955. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.155 Ohms. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50us. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

P2803NVG

P5504ED

Transistor canal P P5504ED, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 690pF. C (out): 310pF. Dissipation de puissance maxi: 28W. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id (T=100°C): 6A. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Td(off): 19.8 ns. Td(on): 6.7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

RFD8P05SM

Transistor canal P RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 50V. Dissipation de puissance maxi: 48W. Id (T=100°C): 6A. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D8P05. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Spec info: ID pulse 20A. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 125us. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

RJP63F4A

Transistor canal P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 630V. C (in): 1250pF. C (out): 40pF. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. Ic(puls): 200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: P...

RSQ035P03

Transistor canal P RSQ035P03, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSMT6. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 780pF. C (out): 180pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Distance entre connexions (pas): 2.9x1.6mm. Fonction: convertisseur de tension DC-DC. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: TM. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 65m Ohms. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) min.: 1V...

SFP9630

Transistor canal P SFP9630, 4.4A, 4.4A, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 4.4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 33W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 3.3A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Technologie: Advanced Power MOSFET. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

SFS9620

Transistor canal P SFS9620, 3A, 3A, 200V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 28W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

SFS9634

Transistor canal P SFS9634, 3.4A, 3.4A, 250V. Id (T=25°C): 3.4A. Idss (maxi): 3.4A. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 33W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 2.6A. Quantité par boîtier: 1. Remarque: On 13ns, Off 40ns. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. Technologie: V-MOS TO220F. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

SI2307BDS

Transistor canal P SI2307BDS, SOT-23, -30V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 380pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: L7. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...

SI2307BDS-T1-BE3

Transistor canal P SI2307BDS-T1-BE3, SOT-23, -30V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 380pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: L7. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...

SI2307CDS

Transistor canal P SI2307CDS, SOT-23, -30V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: N7. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...

SI2309CDS-T1-GE3

Transistor canal P SI2309CDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, -60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 210pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: N9. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...