Transistor canal P MTP50P03HDLG, TO-220AB, -30V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 117 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: M50P03HDLG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 17:57