Transistor canal P RSQ035P03, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v

Transistor canal P RSQ035P03, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.89€
5-49
0.72€
50-99
0.61€
100+
0.55€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 65

Transistor canal P RSQ035P03, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSMT6. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 780pF. C (out): 180pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Distance entre connexions (pas): 2.9x1.6mm. Fonction: convertisseur de tension DC-DC. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: TM. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 65m Ohms. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: ROHM. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13

Documentation technique (PDF)
RSQ035P03
31 paramètres
Id (T=25°C)
3.5A
Idss (maxi)
1uA
Boîtier
TSOP
Boîtier (selon fiche technique)
TSMT6
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
780pF
C (out)
180pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
1.25W
Distance entre connexions (pas)
2.9x1.6mm
Fonction
convertisseur de tension DC-DC
Id(imp)
14A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
TM
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
6
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
65m Ohms
Td(off)
45 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
Power MOSFET
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
3000
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
ROHM

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