Transistor canal P NTD20P06LT4G, D-PAK, TO-252, -60V
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Transistor canal P NTD20P06LT4G, D-PAK, TO-252, -60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -15.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: 20P06LG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:51
NTD20P06LT4G
17 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Tension drain-source Uds [V]
-60V
Capacité de grille Ciss [pF]
1190pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-15.5A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.15 Ohms @ -7.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
65W
Délai de coupure tf[nsec.]
50 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
20P06LG
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-2V
Produit d'origine constructeur
Onsemi