Recherche de produit: P-SUP-DR4524 - RPtronics. Page 8 sur 11

IRFR9120NPBF

Transistor canal P IRFR9120NPBF, D-PAK, TO-252, -100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -6.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: FR9120N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.18€

Quantité en stock: 45

IRFR9220

Transistor canal P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 340pF. C (out): 110pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id (T=100°C): 2.3A. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Td(off): 7.3 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

1.13€

Quantité en stock: 87

IRFR9220PBF

Transistor canal P IRFR9220PBF, D-PAK, TO-252, -200V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.3 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFR9220PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.18€

Quantité en stock: 693

IRFU9024

Transistor canal P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Charge: 19nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -8.8A, -5.6A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Id (T=100°C): 5.6A. Id(imp): 35A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 42W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.28 Ohms. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -60V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.92€

+25 rapidement
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Quantité en stock: 72

IRFU9024N

Transistor canal P IRFU9024N, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 8A. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. Td(off): 23 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.84€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 26

IRL5602SPBF

Transistor canal P IRL5602SPBF, D²-PAK, TO-263, -20V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1460pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: L5602S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V...

1.77€

Quantité en stock: 3

IRLML5103PBF

Transistor canal P IRLML5103PBF, SOT-23, -30V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.76A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: D. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...

0.47€

Quantité en stock: 51

IRLML5203

Transistor canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 510pF. C (out): 71pF. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id (T=100°C): 2.4A. Id(imp): 24A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: H. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS H. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.098 Ohms. Td(off): 52 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

0.32€

Quantité en stock: 245

IRLML5203TRPBF

Transistor canal P IRLML5203TRPBF, SOT-23, -30V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 88pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.25W. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 350 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V...

0.27€

Quantité en stock: 1799

IRLML6302

Transistor canal P IRLML6302, SOT23. Boîtier: SOT23. Charge: 2.4nC. Courant de drain: -620mA, -0.62A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 0.54W. RoHS: oui. Résistance thermique: 230K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: -20V. Tension grille-source: 12V, ±12V. Type de transistor: P-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.57€

Quantité en stock: 10

IRLML6302PBF

Transistor canal P IRLML6302PBF, SOT-23, -20V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 97pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.62A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V...

0.59€

Quantité en stock: 1806

IRLML6402

Transistor canal P IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Id (T=25°C): 3.7A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 633pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id (T=100°C): 2.2A. Id(imp): 22A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Td(off): 588 ns. Td(on): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V...

0.34€

Quantité en stock: 266

IRLML6402TRPBF

Transistor canal P IRLML6402TRPBF, SOT-23, -20V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 633pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 588 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 350 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.2V...

0.80€

Quantité en stock: 10102

IRLMS6802TRPBF

Transistor canal P IRLMS6802TRPBF, SOT-23/6, -20V. Boîtier: SOT-23/6. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1079pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: 2E. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.2V...

1.03€

Quantité en stock: 3487

IXGR40N60B2D1

Transistor canal P IXGR40N60B2D1, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2560pF. C (out): 210pF. Courant de collecteur: 60A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: C2-Class High Speed IGBT. Ic(puls): 33A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Remarque: boîtier isolé. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de canal: P...

17.12€

Quantité en stock: 11

IXTK90P20P

Transistor canal P IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. C (in): 12pF. C (out): 2210pF. Dissipation de puissance maxi: 890W. Fonction: P-Channel Enhancement Mode. Id (T=100°C): -. Id(imp): 270A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Td(off): 89 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: PolarPTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

27.31€

Quantité en stock: 22

J175

Transistor canal P J175, TO-92, -30V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. Marquage du fabricant: J175. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V...

0.88€

Quantité en stock: 833

J176

Transistor canal P J176, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (maxi): 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Fonction: VGS(off) 1V...4V. IGF: 50mA. Idss (min): 2mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 250 Ohms. Technologie: P-Channel Switch. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Type de canal: P. Type de transistor: JFET...

0.54€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 91

MMBF5460

Transistor canal P MMBF5460, 5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (maxi): 5mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 5pF. Dissipation de puissance maxi: 225mW. IGF: 10mA. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: 6E. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: J-FET Ampl.. Tension grille/source Vgs: 4 v. Type de canal: P. Type de transistor: JFET. Vgs(th) min.: 6V...

0.22€

Quantité en stock: 376

MMBF5461

Transistor canal P MMBF5461, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (maxi): 9mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 5pF. Dissipation de puissance maxi: 225mW. IGF: 10mA. Idss (min): 2mA. Marquage sur le boîtier: 61U. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 61U. Technologie: J-FET Ampl.. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Type de canal: P. Type de transistor: JFET. Vgs(th) min.: 7.5V...

0.21€

Quantité en stock: 1998

MMBFJ175

Transistor canal P MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (maxi): 60mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 11pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 225mW. IGF: 50mA. Idss (min): 7mA. Marquage sur le boîtier: 6W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6W. RoHS: oui. Technologie: P-Channel Switch. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 6V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V. Type de canal: P. Type de transistor: JFET. Unité de conditionnement: 3000...

0.35€

Quantité en stock: 188

MMBFJ177

Transistor canal P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 20mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 225mW. IGF: 50mA. Idss (min): 1.5mA. Marquage sur le boîtier: 6Y. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6Y. RoHS: oui. Technologie: P-Channel Switch. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Type de canal: P. Type de transistor: JFET. Unité de conditionnement: 3000...

0.37€

Quantité en stock: 2750

MMBFJ177LT1G

Transistor canal P MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. Marquage du fabricant: 6Y. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V...

1.24€

Quantité en stock: 3054

MMFTP84

Transistor canal P MMFTP84, SOT-23, TO-236AB, -50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 45pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Délai de coupure tf[nsec.]: 7 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): -0.13A. Information: -. MSL: 1. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohms / -130mA / -10V. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Température de fonctionnement: 150°C. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Type de montage: SMD. Vdss (tension drain à source): -50V...

0.0829€

Quantité en stock: 7843

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