Transistor canal P IRLML6302, SOT23. Boîtier: SOT23. Charge: 2.4nC. Courant de drain: -620mA, -0.62A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 0.54W. RoHS: oui. Résistance thermique: 230K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: -20V. Tension grille-source: 12V, ±12V. Type de transistor: P-MOSFET, HEXFET, logic level. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 01/11/2025, 15:21