Transistor canal P MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V
Quantité
Prix unitaire
1-99
1.23€
100+
0.73€
| Quantité en stock: 3054 |
Transistor canal P MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal P. Marquage du fabricant: 6Y. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:05
MMBFJ177LT1G
12 paramètres
Boîtier
SOT-23
Tension drain-source Uds [V]
-30V
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V
-20mA
Dissipation maximale Ptot [W]
0.225W
Famille de composants
Transistor JFET à canal P
Marquage du fabricant
6Y
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V
+2.5V @ -15V
Produit d'origine constructeur
Onsemi (fairchild)