Transistor canal P IRFR9220PBF, D-PAK, TO-252, -200V

Transistor canal P IRFR9220PBF, D-PAK, TO-252, -200V

Quantité
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1.17€
25+
0.97€
Quantité en stock: 693

Transistor canal P IRFR9220PBF, D-PAK, TO-252, -200V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.3 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFR9220PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:14

Documentation technique (PDF)
IRFR9220PBF
17 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Tension drain-source Uds [V]
-200V
Capacité de grille Ciss [pF]
340pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-3.6A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.5 Ohms @ -2.2A
Dissipation maximale Ptot [W]
42W
Délai de coupure tf[nsec.]
7.3 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
IRFR9220PBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8.8 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)