Recherche de produit: P-SUP-PS65-12 - RPtronics. Page 2 sur 11

BS250FTA

Transistor canal P BS250FTA, SOT-23, -45V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -45V. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.09A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: MX. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V...

0.71€

Quantité en stock: 2416

BS250P

Transistor canal P BS250P, TO-92, 0.23A, -45V, 500nA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): 0.23A. Tension drain-source Uds [V]: -45V. Idss (maxi): 500nA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 45V. : 'enhanced'. C (in): 60pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Conditionnement: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Courant de drain: -0.23A. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id(imp): 3A. Marquage du fabricant: BS250P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Puissance: 0.7W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 14 Ohms. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V. Tension drain - source: -45V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: P-MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V...

1.25€

+2672 rapidement
Quantité en stock: 240

BSP171P

Transistor canal P BSP171P, SOT-223, -60V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 460pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 276 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: BSP171P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V...

2.90€

Quantité en stock: 23

BSP250

Transistor canal P BSP250, SOT-223, -30V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. : 'enhanced'. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Charge: 25nC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Courant de drain: -3A. Dissipation de puissance maxi: 5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.65W. Délai de coupure tf[nsec.]: 140 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 3A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BSP250.115. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 5W. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.25 Ohms / -1A / -10V. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 80 ns. Température de fonctionnement: -. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: -. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.8V. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: SMD. Type de transistor: P-MOSFET. Vdss (tension drain à source): -30V. Vgs(th) (Max) @ Id: -...

1.01€

+304 rapidement
Quantité en stock: 1997

BSP316

Transistor canal P BSP316, SOT-223, -100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.68A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: BSP316. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V...

0.88€

Quantité en stock: 210

BSP92PL6327

Transistor canal P BSP92PL6327, SOT-223, -250V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 104pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.26A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 101 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: BSP92P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V...

0.73€

Quantité en stock: 525

BSS83P

Transistor canal P BSS83P, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de drain: -330mA. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 330mA. Information: -. MSL: 1. Montage/installation: SMD. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 360mW. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. RoHS: non. Résistance dans l'état passant: 2 Ohms. Série: -. Température de fonctionnement: -. Tension d'entraînement: -. Tension drain - source: -60V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: SMD. Type de transistor: P-MOSFET. Vdss (tension drain à source): -60V. Vgs(th) (Max) @ Id: -...

0.25€

+75 rapidement
Quantité en stock: 260

BSS84

Transistor canal P BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 130mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 25pF. C (out): 15pF. Courant continu moyen: -130mA. Courant de drain: -130mA. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Fonction: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id (T=100°C): 75mA. Id(imp): 520mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 11W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10 Ohms. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS 11W. Td(off): 7 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: 'Enhancement mode vertical D-MOS transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension drain - source: -50V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V...

0.0702€

+22355 rapidement
Quantité en stock: 370

BSS84-215-PD

Transistor canal P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 45pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Délai de coupure tf[nsec.]: 7 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: 13. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V...

0.23€

Quantité en stock: 5951

BSS84AK

Transistor canal P BSS84AK, SOT-23, TO-236AB, -50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 36pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 48 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: VS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.1V...

0.34€

Quantité en stock: 5000

BSS84LT1G-PD

Transistor canal P BSS84LT1G-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 36pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: Dissipation de puissance maxi. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V...

0.24€

Quantité en stock: 39752

BUZ906

Transistor canal P BUZ906, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension Vds(max): 200V. C (in): 734pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BUZ901. Td(off): 60 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

33.90€

Quantité en stock: 1

DMG2305UX-7

Transistor canal P DMG2305UX-7, SOT23. Boîtier: SOT23. : 'enhanced'. Courant de drain: -3.3A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 1.4W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.2 Ohms. Tension drain - source: -20V. Tension grille-source: ±8V. Type de transistor: P-MOSFET...

0.53€

Quantité en stock: 250

DMP3020LSS

Transistor canal P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1802pF. C (out): 415pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Divers: Vitesse de commutation rapide, faible fuite d'entrée/sortie. Fonction: faible résistance à l'état passant, faible tension de seuil de grille, faible capacité d'entrée. Id (T=100°C): 9A. Id(imp): 80A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: P3020LS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.0116 Ohms. Td(off): 46 ns. Td(on): 5.1 ns. Technologie: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.71€

Quantité en stock: 33

ECW20P20

Transistor canal P ECW20P20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 1850pF. C (out): 850pF. Dissipation de puissance maxi: 250W. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20N20. Td(off): 105 ns. Td(on): 150 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

22.98€

Produit obsolète
En rupture de stock

ECX10P20

Transistor canal P ECX10P20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10N20. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

10.86€

Quantité en stock: 38

FDC365P

Transistor canal P FDC365P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Tension Vds(max): 35V. C (in): 530pF. C (out): 105pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Fonction: onduleurs, alimentations électriques. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 365 P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 365P. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) min.: 1V...

0.47€

Quantité en stock: 16

FDC638P

Transistor canal P FDC638P, SOT-23/6, -20V. Boîtier: SOT-23/6. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: .638. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V...

1.18€

Quantité en stock: 552

FDC642P

Transistor canal P FDC642P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Tension Vds(max): 20V. C (in): 700pF. C (out): 110pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Fonction: Interrupteur de charge, protection de batterie. Id (T=100°C): -. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 642. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 642. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Spec info: faible charge d'entrée. Td(off): 120ns. Td(on): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V...

1.00€

Quantité en stock: 31

FDC642P-F085

Transistor canal P FDC642P-F085, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SSOT. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Tension Vds(max): 20V. C (in): 630pF. C (out): 160pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. Fonction: Interrupteur de charge, protection de batterie. Id(imp): 20A. Idss (min): 250uA. Marquage sur le boîtier: FDC642P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS FDC642P. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0525 Ohms. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Td(off): 23.5 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V...

1.08€

Quantité en stock: 100

FDD4141

Transistor canal P FDD4141, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 58A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 2085pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 69W. Fonction: 'High performance trench technology'. Id (T=100°C): 50A. Id(imp): 100A. Marquage sur le boîtier: FDD4141. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 12.3m Ohms. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.57€

Quantité en stock: 83

FDD4243

Transistor canal P FDD4243, TO252, DPAK. Boîtier: TO252, DPAK. Charge: 21.3nC, 29nC. Courant de drain: -14A. Montage/installation: SMD. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. Puissance: 42W. RoHS: oui. Technologie: MOSFET, PowerTrench®. Tension drain - source: -40V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: P-MOSFET...

2.43€

Quantité en stock: 10

FDD5614P

Transistor canal P FDD5614P, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, -60V, 15A, 1uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 759pF. C (out): 90pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 759pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -15A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -4.5A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id (T=100°C): 15A. Id(imp): 45A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FDD5614P. Marquage sur le boîtier: FDD5614P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

2.27€

Quantité en stock: 115

FDD6685

Transistor canal P FDD6685, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1715pF. C (out): 440pF. Dissipation de puissance maxi: 52W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id (T=100°C): 11A. Id(imp): 100A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Td(off): 43 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.65€

Quantité en stock: 182

Rechercher "P-SUP-PS65-12"