Transistor canal P FDC642P-F085, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V

Transistor canal P FDC642P-F085, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.06€
5-24
1.06€
25-49
0.88€
50+
0.79€
Quantité en stock: 100

Transistor canal P FDC642P-F085, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SSOT. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Tension Vds(max): 20V. C (in): 630pF. C (out): 160pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. Fonction: Interrupteur de charge, protection de batterie. Id(imp): 20A. Idss (min): 250uA. Marquage sur le boîtier: FDC642P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS FDC642P. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0525 Ohms. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Td(off): 23.5 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

FDC642P-F085
34 paramètres
Id (T=25°C)
4A
Idss (maxi)
1uA
Boîtier
SSOT
Boîtier (selon fiche technique)
SUPERSOT-6
Tension Vds(max)
20V
C (in)
630pF
C (out)
160pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
1.2W
Fonction
Interrupteur de charge, protection de batterie
Id(imp)
20A
Idss (min)
250uA
Marquage sur le boîtier
FDC642P
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
6
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS FDC642P
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.0525 Ohms
Spec info
Faible charge de grille (6.9nC typique)
Td(off)
23.5 ns
Td(on)
23 ns
Technologie
PowerTrench MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
8V
Trr Diode (Min.)
17 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
3000
Vgs(th) max.
1.5V
Vgs(th) min.
0.4V
Produit d'origine constructeur
Fairchild