Transistor canal P BS250P, TO-92, 0.23A, -45V, 500nA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): 0.23A. Tension drain-source Uds [V]: -45V. Idss (maxi): 500nA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 45V. : 'enhanced'. C (in): 60pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Conditionnement: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Courant de drain: -0.23A. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id(imp): 3A. Marquage du fabricant: BS250P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Puissance: 0.7W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 14 Ohms. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3.5V. Tension drain - source: -45V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: P-MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25