Transistor canal P BSP171P, SOT-223, -60V

Transistor canal P BSP171P, SOT-223, -60V

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Transistor canal P BSP171P, SOT-223, -60V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 460pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 276 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: BSP171P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31

Documentation technique (PDF)
BSP171P
16 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension drain-source Uds [V]
-60V
Capacité de grille Ciss [pF]
460pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-1.9A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.3 Ohms @ -1.9A
Dissipation maximale Ptot [W]
1.8W
Délai de coupure tf[nsec.]
276 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
BSP171P
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-2V
Produit d'origine constructeur
Infineon