Rechercher "V-00206"

Nous vous proposons une sélection de 810 produits pouvant correspondre à votre recherche de "V-00206" (Transistors FET et MOSFET canal N)

<< Retour aux catégories proposées...

IRFP4468PBF

Transistor canal N IRFP4468PBF, TO-247AC, 100V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 19860pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 195A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Dissipation maximale Ptot [W]: 520W. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP4468PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 52 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

19.53€

Quantité en stock: 65

Quantité pour IRFP4468PBF Ajouter au panier

Update

FDS6670A

Transistor canal N FDS6670A, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 2220pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDS6670A. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.95€

Quantité en stock: 69

Quantité pour FDS6670A Ajouter au panier

Update

FDS6912

Transistor canal N FDS6912, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6A/6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDS6912. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

Quantité en stock: 162

Quantité pour FDS6912 Ajouter au panier

Update

HUF76145P3

Transistor canal N HUF76145P3, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Délai de coupure tf[nsec.]: 135 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: HUF76145P3. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 110 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.36€

Quantité en stock: 2

Quantité pour HUF76145P3 Ajouter au panier

Update

IRF7201PBF

Transistor canal N IRF7201PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7201. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.18€

Quantité en stock: 56

Quantité pour IRF7201PBF Ajouter au panier

Update

IRF7313TRPBF

Transistor canal N IRF7313TRPBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.5A/6.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7313. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.89€

+578 rapidement
Quantité en stock: 4000

Quantité pour IRF7313TRPBF Ajouter au panier

Update

IRF7413PBF

Transistor canal N IRF7413PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7413. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.86€

Quantité en stock: 640

Quantité pour IRF7413PBF Ajouter au panier

Update

IRF7455PBF

Transistor canal N IRF7455PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3480pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 15A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7455. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.36€

Quantité en stock: 29

Quantité pour IRF7455PBF Ajouter au panier

Update

IRF7811AVPBF

Transistor canal N IRF7811AVPBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1801pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7811. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.47€

Quantité en stock: 61

Quantité pour IRF7811AVPBF Ajouter au panier

Update

IRF7821PBF

Transistor canal N IRF7821PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1010pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.7 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7821. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.3 ns. Température maxi: +155°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

1.84€

Quantité en stock: 548

Quantité pour IRF7821PBF Ajouter au panier

Update

IRF7831TRPBF

Transistor canal N IRF7831TRPBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 6240pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 21A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 17 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7831. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V...

2.28€

Quantité en stock: 2637

Quantité pour IRF7831TRPBF Ajouter au panier

Update

IRF8788PBF

Transistor canal N IRF8788PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5720pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F8788. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V...

1.47€

Quantité en stock: 136

Quantité pour IRF8788PBF Ajouter au panier

Update

IRL2203NPBF

Transistor canal N IRL2203NPBF, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL2203NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

4.73€

Quantité en stock: 247

Quantité pour IRL2203NPBF Ajouter au panier

Update

IRLBA3803PPBF

Transistor canal N IRLBA3803PPBF, SUPER-220, 30 v. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 179A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLBA3803PPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.3V...

7.10€

Quantité en stock: 28

Quantité pour IRLBA3803PPBF Ajouter au panier

Update

IRLL2703PBF

Transistor canal N IRLL2703PBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€

Quantité en stock: 46

Quantité pour IRLL2703PBF Ajouter au panier

Update

IRLL2703TRPBF

Transistor canal N IRLL2703TRPBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€

Quantité en stock: 2179

Quantité pour IRLL2703TRPBF Ajouter au panier

Update

IRLML2803PBF

Transistor canal N IRLML2803PBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.53€

Quantité en stock: 124

Quantité pour IRLML2803PBF Ajouter au panier

Update

IRLML2803TRPBF

Transistor canal N IRLML2803TRPBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.53€

Quantité en stock: 2855

Quantité pour IRLML2803TRPBF Ajouter au panier

Update

IRLML6344TRPBF

Transistor canal N IRLML6344TRPBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.1V...

0.88€

Quantité en stock: 3124

Quantité pour IRLML6344TRPBF Ajouter au panier

Update

MMBF4392LT1G

Transistor canal N MMBF4392LT1G, SOT-23, 30 v, 25mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Marquage du fabricant: 6K. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V...

0.53€

Quantité en stock: 2410

Quantité pour MMBF4392LT1G Ajouter au panier

Update

NDS355AN

Transistor canal N NDS355AN, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 195pF. Charge: 5nC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Courant de drain: 1.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: NDS355AN_NL. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, logic level...

1.10€

+5 rapidement
Quantité en stock: 3047

Quantité pour NDS355AN Ajouter au panier

Update

SI9936BDY-E3

Transistor canal N SI9936BDY-E3, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI9936BDY. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.42€

Quantité en stock: 54

Quantité pour SI9936BDY-E3 Ajouter au panier

Update

BF245B

Transistor canal N BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Fonction: HF-VHF. IGF: 10mA. Idss (min): 6mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: N. Type de transistor: JFET...

1.40€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 27

Quantité pour BF245B Ajouter au panier

Update

BF245C

Transistor canal N BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Courant de drain: 25uA. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Fonction: HF-VHF. IGF: 10mA. Idss (min): 12mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: N. Type de transistor: JFET...

1.67€

+3 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 24

Quantité pour BF245C Ajouter au panier

Update