| Quantité en stock: 1482 |
Transistor canal N BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.65€
5-49
1.56€
50-99
1.50€
100-199
1.35€
200+
1.26€
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| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 34 |
Transistor canal N BF245C, TO-92, 25mA, 25mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Courant de drain: 25uA. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Fonction: HF-VHF. IGF: 10mA. Idss (min): 12mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25
BF245C
29 paramètres
Boîtier
TO-92
Id (T=25°C)
25mA
Idss (maxi)
25mA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
4pF
C (out)
1.6pF
Courant de drain
25uA
Dissipation de puissance maxi
300mW
Fonction
HF-VHF
IGF
10mA
Idss (min)
12mA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
non
Puissance
300mW
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
Transistor à effet de champ
Température
+150°C
Tension drain - source
30V
Tension grille/source VGS (off) max.
7.5V
Tension grille/source VGS (off) min.
3.2V
Tension grille/source Vgs
8V
Type de canal
N
Type de transistor
JFET
Produit d'origine constructeur
Fairchild