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AOD518

AOD518

Transistor canal N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 951pF. C (out): 373pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC en informatique. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: RDS(on) très faible à 10VGS. Td(off): 18.5 ns. Td(on): 6.25 ns. Technologie: 'Latest Trench Power MOSFET technology'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 10.2 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) min.: 1.8V...

0.94€
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AOD5T40P

AOD5T40P

Transistor canal N AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 3.9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 400V. C (in): 273pF. C (out): 16pF. Dissipation de puissance maxi: 52W. Id(imp): 15A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 172ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.93€
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AOD9N50

AOD9N50

Transistor canal N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.71 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. : 'enhanced'. C (in): 962pF. C (out): 98pF. Charge: 13.1nC. Courant de drain: 5.7A. Dissipation de puissance maxi: 178W. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 178W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 332ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V...

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AON6246

AON6246

Transistor canal N AON6246, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. Id (T=100°C): 51A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 2850pF. C (out): 258pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Id(imp): 170A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

2.42€
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AON6512

AON6512

Transistor canal N AON6512, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 1.9m Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3430pF. C (out): 1327pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Latest Trench Power AlphaMOS technology'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.21€
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AOY2610E

AOY2610E

Transistor canal N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. Fonction: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: AOY2610E. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V...

1.24€
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AP40T03GJ

AP40T03GJ

Transistor canal N AP40T03GJ, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

3.30€
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AP40T03GP

AP40T03GP

Transistor canal N AP40T03GP, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.45€
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AP40T03GS

AP40T03GS

Transistor canal N AP40T03GS, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 31W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03GS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

2.80€
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AP4800CGM

AP4800CGM

Transistor canal N AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8.4A. Id (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (maxi): 10.4A. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Id(imp): 40A. Marquage sur le boîtier: 4800C G M. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.80€
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AP88N30W

AP88N30W

Transistor canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 48A. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 48m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 8440pF. C (out): 1775pF. Dissipation de puissance maxi: 312W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 88N30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: 'Enhancement-mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

12.06€
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AP9962GH

AP9962GH

Transistor canal N AP9962GH, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1170pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 27.8W. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 150A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9962GH. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 20 ns. Td(on): 8 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.24€
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AP9971GH

AP9971GH

Transistor canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9971GH. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.19€
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AP9971GI

AP9971GI

Transistor canal N AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220CFM. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 31.3W. Id(imp): 80A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: NO. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 1V...

3.34€
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AP9971GM

AP9971GM

Transistor canal N AP9971GM, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 7A. Résistance passante Rds On: 0.050R (50m Ohms). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 4W. Fonction: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns. Id(imp): 28A. Marquage sur le boîtier: 9971GM. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N...

3.32€
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APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G

Transistor canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1685pF. C (out): 210pF. Courant de collecteur: 56A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: Alimentations à découpage haute fréquence. Ic(puls): 65A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 55ms. Type de canal: N...

12.94€
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APT5010JFLL

APT5010JFLL

Transistor canal N APT5010JFLL, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 4360pF. C (out): 895pF. Dissipation de puissance maxi: 378W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 164A. Idss (min): 250uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 280 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

40.60€
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APT5010JVR

APT5010JVR

Transistor canal N APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 7400pF. C (out): 1000pF. Dissipation de puissance maxi: 450W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 176A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

40.25€
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APT8075BVRG

APT8075BVRG

Transistor canal N APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Dissipation de puissance maxi: 260W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

32.68€
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ATF-55143-TR1GHEMT

ATF-55143-TR1GHEMT

Transistor canal N ATF-55143-TR1GHEMT, SOT-343, 5V. Boîtier: SOT-343. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 5V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.27W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 5Fx. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.37V...

7.69€
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