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IRF7807

Transistor canal N IRF7807, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 66A. Idss (min): 30uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.97€

Quantité en stock: 60

IRF7807V

Transistor canal N IRF7807V, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 66A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 11 ns. Td(on): 6.3 ns. Technologie: MOSFET de puissance. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.16€

Quantité en stock: 68

IRFR3709Z

Transistor canal N IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 460pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, impédance de grille ultra faible. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V...

1.22€

Quantité en stock: 78

IRL3803S

Transistor canal N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 470A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V...

2.94€

Quantité en stock: 31

IRLL2703

Transistor canal N IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 3.1A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 530pF. C (out): 230pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Id(imp): 16A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V...

1.05€

Quantité en stock: 38

IRLML2803

Transistor canal N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Id (T=100°C): 0.93A. Id (T=25°C): 1.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 85pF. C (out): 34pF. Dissipation de puissance maxi: 540mW. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.33€

Quantité en stock: 43

IRLR7843

Transistor canal N IRLR7843, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 161A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4380pF. C (out): 940pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: RDS (on) très faible à 4.5V VGS, impédance de grille ultra-faible. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: LR7843. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 39 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2000. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V...

1.44€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 1581

IRLR8721

Transistor canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 6.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1030pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS. Id(imp): 260A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Impédance de grille ultra-basse. Td(off): 9.4 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

1.21€

Quantité en stock: 24

IRLR8726TRPBF

Transistor canal N IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 4m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2150pF. C (out): 480pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Equivalences: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Fonction: résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Impédance de grille ultra-basse. Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

0.59€

Quantité en stock: 176

IRLR8743

Transistor canal N IRLR8743, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4880pF. C (out): 950pF. Dissipation de puissance maxi: 135W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 640A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

2.15€

Quantité en stock: 66

NDB6030L

Transistor canal N NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.55€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 65

NTD4804NT4G

Transistor canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 96A. Id (T=25°C): 124A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4490pF. C (out): 952pF. Dissipation de puissance maxi: 107W. Id(imp): 230A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4804NG. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4804NG. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 230A. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

1.84€

Quantité en stock: 32

SI4420DY

Transistor canal N SI4420DY, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10.5A. Id (T=25°C): 13.5A. Idss (maxi): 13.5A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 50A. Marquage sur le boîtier: 4420AP. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Technologie: D-S-MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.77€

Quantité en stock: 77

SI4800BDY-T1-E3

Transistor canal N SI4800BDY-T1-E3, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0155 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: Commutation rapide, MOSFET de puissance. Id(imp): 40Ap. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4800B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V...

1.29€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 59

SIR474DP

Transistor canal N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0075 Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 985pF. C (out): 205pF. Dissipation de puissance maxi: 29.8W. Fonction: 'High-Side Switch'. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 196k Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 14 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

2.02€

Quantité en stock: 88

SPB32N03L

Transistor canal N SPB32N03L, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 32A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.99€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 221

SPD28N03L

Transistor canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 790pF. C (out): 390pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 112A. Marquage sur le boîtier: 28N03L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 32 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.6V...

1.10€

Quantité en stock: 344

SUP85N03-3M6P

Transistor canal N SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 85A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3535pF. C (out): 680pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 78W. Fonction: alimentation, convertisseur DC/DC. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 1V...

2.99€

Quantité en stock: 498

2N6550

Transistor canal N 2N6550, TO-46, 20V, 10mA. Boîtier: TO-46. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Marquage du fabricant: 2N6550. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +125°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V...

67.95€

Quantité en stock: 8

2N7002-7-F

Transistor canal N 2N7002-7-F, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.210A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.37W. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.6 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: K72. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 2.8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

0.14€

Quantité en stock: 3558

2N7002T1-E3

Transistor canal N 2N7002T1-E3, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.115A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 72. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

0.21€

Quantité en stock: 1704

2SK1393

Transistor canal N 2SK1393, TO-220, 250V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 675pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: K1393. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 150 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.54€

Quantité en stock: 1

2SK1489

Transistor canal N 2SK1489, 21F1B, 1 kV. Boîtier: 21F1B. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 2SK1489. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V...

23.68€

Quantité en stock: 4

3SK293-TE85L-F

Transistor canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V. Boîtier: SOT-343. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 12.5V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +125°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V...

1.47€

Quantité en stock: 3229

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