Transistor canal N 2N7002T1-E3, SOT-23, 60V

Transistor canal N 2N7002T1-E3, SOT-23, 60V

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Transistor canal N 2N7002T1-E3, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.115A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 72. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36

Documentation technique (PDF)
2N7002T1-E3
16 paramètres
Boîtier
SOT-23
Tension drain-source Uds [V]
60V
Capacité de grille Ciss [pF]
50pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.115A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
13.5 Ohms @ 0.05A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.3W
Délai de coupure tf[nsec.]
20 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
72
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2.5V
Produit d'origine constructeur
Vishay (siliconix)