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STD5N52K3

Transistor canal N STD5N52K3, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. Id (T=100°C): 2.77A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Tension Vds(max): 525V. C (in): 545pF. C (out): 45pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée, faible IDSS. Id(imp): 17.6A. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 5N52K3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de canaux: 1. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Enhancement type. Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30V. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.02€

Quantité en stock: 35

STD5N52U

Transistor canal N STD5N52U, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.25 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Tension Vds(max): 525V. C (in): 529pF. C (out): 71pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée. Id(imp): 17.6A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 5N52U. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de canaux: 1. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Enhancement type. Td(off): 23.1 ns. Td(on): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

11.97€

Quantité en stock: 18

STD7NM60N

Transistor canal N STD7NM60N, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.84 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 363pF. C (out): 24.6pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 7NM60N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 213 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.33€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 115

STE53NC50

Transistor canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Tension Vds(max): 500V. Dissipation de puissance maxi: 460W. Fonction: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Isolation électrique: 2500V (AC-RMS). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(on): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension grille/source Vgs: ±30V. Tf (type): 38 ns. Tr: 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

52.84€

Quantité en stock: 14

STF11NM60ND

Transistor canal N STF11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.35€

Quantité en stock: 107

STF13N80K5

Transistor canal N STF13N80K5, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 870pF. C (out): 50pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13N80K5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.19€

Quantité en stock: 50

STF13NM60N

Transistor canal N STF13NM60N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.58€

Quantité en stock: 93

STF18NM60N

Transistor canal N STF18NM60N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 18NM60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.59€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 44

STF3NK80Z

Transistor canal N STF3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F3NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.24€

Quantité en stock: 35

STF5NK100Z-ZENER

Transistor canal N STF5NK100Z-ZENER, TO-220FP, 1 kV. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F5NK100Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

7.10€

Quantité en stock: 782

STF9NK90Z

Transistor canal N STF9NK90Z, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F9NK90Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.77€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 42

STF9NM60N

Transistor canal N STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100mA. Résistance passante Rds On: 0.63 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 452pF. C (out): 30pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 26A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: 9NM60N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 26A. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 324 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.50€

Quantité en stock: 193

STH8NA60FI

Transistor canal N STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1350pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: transistor MOSFET de puissance rapide. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: H8NA60FI. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 4000V. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 'Enhancement mode'. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V...

6.32€

Quantité en stock: 12

STN4NF20L

Transistor canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 630mA. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 150pF. C (out): 30pF. Dissipation de puissance maxi: 3.3W. Id(imp): 4A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4NF20L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 10.4 ns. Td(on): 2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.82€

Quantité en stock: 135

STP100N8F6

Transistor canal N STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. Id (T=100°C): 70A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 80V. C (in): 5955pF. C (out): 244pF. Dissipation de puissance maxi: 176W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 400A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: 100N8F6. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 38 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.32€

Quantité en stock: 34

STP10NK60Z

Transistor canal N STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 5.7A. Dissipation de puissance maxi: 115W. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Protection ESD. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 115W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 600V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.95€

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STP10NK60ZFP

Transistor canal N STP10NK60ZFP, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.00€

Quantité en stock: 29

STP10NK80Z

Transistor canal N STP10NK80Z, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: protection par diode Zéner. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.08€

Quantité en stock: 25

STP10NK80ZFP

Transistor canal N STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK80ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

4.25€

Quantité en stock: 226

STP10NK80ZFP-ZENER

Transistor canal N STP10NK80ZFP-ZENER, TO-220FP, 800V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2180pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P10NK80ZFP. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

4.73€

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STP11NB40FP

Transistor canal N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1250pF. C (out): 210pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 42.8A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 2000VDC. RoHS: oui. Td(off): 10 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

1.84€

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Quantité en stock: 1

STP11NK40Z-ZENER

Transistor canal N STP11NK40Z-ZENER, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 930pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P11NK40Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

1.98€

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STP11NM60

Transistor canal N STP11NM60, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 230pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

4.31€

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STP11NM60ND

Transistor canal N STP11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.46€

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