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SI4840BDY

Transistor canal N SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 12.4A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0074 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. C (in): 2000pF. C (out): 260pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.24€

Quantité en stock: 317

SI4946BEY-T1-E3

Transistor canal N SI4946BEY-T1-E3, SO8, MS-012, 60V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.052 Ohms @ 4.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.6W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI4946BEY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.66€

Quantité en stock: 7498

SI4946EY-T1-E3

Transistor canal N SI4946EY-T1-E3, SO8, MS-012, 60V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI4946EY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

Quantité en stock: 371

SI9410BDY-E3

Transistor canal N SI9410BDY-E3, SO8, TO-263AB, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): TO-263AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI9410BDY-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.64€

Quantité en stock: 2358

SI9936BDY-E3

Transistor canal N SI9936BDY-E3, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI9936BDY. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.42€

Quantité en stock: 54

SIR474DP

Transistor canal N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0075 Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 985pF. C (out): 205pF. Dissipation de puissance maxi: 29.8W. Fonction: 'High-Side Switch'. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 196k Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 14 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

2.02€

Quantité en stock: 88

SP0010-91630

Transistor canal N SP0010-91630, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 49A. Id (T=25°C): 77.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.041 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 8180pF. C (out): 310pF. Dissipation de puissance maxi: 481W. Fonction: 'Increased MOSFET dv/dt ruggedness'. Id(imp): 267A. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 6R041P6. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

37.84€

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Quantité en stock: 30

SPA04N60C3

Transistor canal N SPA04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 31W. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.27€

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Quantité en stock: 77

SPA07N60C3

Transistor canal N SPA07N60C3, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 260pF. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.65€

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Quantité en stock: 151

SPA07N60C3XKSA1

Transistor canal N SPA07N60C3XKSA1, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V. Boîtier: ITO-220 (PG-TO220FP). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Capacité de grille Ciss [pF]: 790pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 07N60C3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V...

3.79€

Quantité en stock: 85

SPA08N80C3

Transistor canal N SPA08N80C3, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.56 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1100pF. C (out): 46pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 24A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: 08N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

3.82€

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Quantité en stock: 35

SPA11N65C3

Transistor canal N SPA11N65C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1200pF. C (out): 390pF. Dissipation de puissance maxi: 33W. Fonction: boîtier isolé (2500VAC, 1 min). Id(imp): 33A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 11N65C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

5.39€

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Quantité en stock: 100

SPA11N80C3

Transistor canal N SPA11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 41W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.31€

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Quantité en stock: 301

SPA16N50C3

Transistor canal N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 560V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 34W. Fonction: Capacité dv/dt exceptionnelle. Id(imp): 48A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 16N50C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). RoHS: oui. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

5.05€

Quantité en stock: 50

SPB32N03L

Transistor canal N SPB32N03L, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 32A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.99€

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SPB80N04S2-H4

Transistor canal N SPB80N04S2-H4, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 4480pF. C (out): 1580pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: 'Enhancement mode'. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N04H4. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 195 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V...

1.66€

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Quantité en stock: 58

SPD08N50C3

Transistor canal N SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 560V. C (in): 750pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 22.8A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 08N50C3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.92€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 82

SPD09N05

Transistor canal N SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.093 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 215pF. C (out): 75pF. Dissipation de puissance maxi: 24W. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id(imp): 37A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: SPD09N05. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V...

1.14€

Quantité en stock: 455

SPD28N03L

Transistor canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 790pF. C (out): 390pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 112A. Marquage sur le boîtier: 28N03L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 32 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.6V...

1.10€

Quantité en stock: 344

SPP04N60C3

Transistor canal N SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.82€

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SPP04N60C3XKSA1

Transistor canal N SPP04N60C3XKSA1, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.70€

Quantité en stock: 120

SPP06N80C3

Transistor canal N SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 785pF. C (out): 33pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 06N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V...

3.11€

Quantité en stock: 21

SPP07N60S5

Transistor canal N SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 30pF. C (out): 55pF. Date de production: 2015/05. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 14.6A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N60S5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Td(off): 170 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 750 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

3.09€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 72

SPP08N80C3

Transistor canal N SPP08N80C3, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.56 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1100pF. C (out): 46pF. Dissipation de puissance maxi: 104W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 24A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: 08N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...