Transistor canal N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

Transistor canal N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.98€
5-24
4.49€
25-49
4.10€
50-99
3.77€
100+
3.32€
Quantité en stock: 50

Transistor canal N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 560V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 34W. Fonction: Capacité dv/dt exceptionnelle. Id(imp): 48A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 16N50C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). RoHS: oui. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33

SPA16N50C3
33 paramètres
Id (T=100°C)
10A
Id (T=25°C)
16A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.25 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
560V
C (in)
1600pF
C (out)
800pF
Dissipation de puissance maxi
34W
Fonction
Capacité dv/dt exceptionnelle
Id(imp)
48A
Idss (min)
0.1uA
Marquage sur le boîtier
16N50C3
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Remarque
Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute)
RoHS
oui
Spec info
capacités effectives ultra faibles
Td(off)
50 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
Cool MOS™ Power Transistor
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
420 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.1V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies