Transistor canal N SPA04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V

Transistor canal N SPA04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.24€
5-24
1.95€
25-49
1.76€
50+
1.59€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 81

Transistor canal N SPA04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 31W. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33

Documentation technique (PDF)
SPA04N60C3
32 paramètres
Id (T=100°C)
2.8A
Id (T=25°C)
4.5A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
0.95 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP-3-1
Tension Vds(max)
650V
C (in)
490pF
C (out)
160pF
Dissipation de puissance maxi
31W
Fonction
Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability
Id(imp)
13.5A
Idss (min)
0.5uA
Marquage sur le boîtier
04N60C3
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
Remarque
Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute)
RoHS
oui
Spec info
Capacité dv/dt exceptionnelle
Td(off)
58.5 ns
Td(on)
6 ns
Technologie
Cool MOS™ Power Transistor
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
300 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2.1V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies

Produits équivalents et/ou accessoires pour SPA04N60C3