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IRL2203N

Transistor canal N IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 116A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3290pF. C (out): 1270pF. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.95€

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IRL2203NPBF

Transistor canal N IRL2203NPBF, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL2203NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

4.73€

Quantité en stock: 247

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IRL2203NSPBF

Transistor canal N IRL2203NSPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L2203NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

4.73€

Quantité en stock: 1

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IRL2203NSTRLPBF

Transistor canal N IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L2203NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

5.32€

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IRL2505

Transistor canal N IRL2505, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 74A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 360A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.30€

Quantité en stock: 156

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IRL2505STRLPBF

Transistor canal N IRL2505STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 104A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L2505S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

6.51€

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IRL2910

Transistor canal N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3700pF. C (out): 630pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 190A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 49 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

3.06€

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IRL3502

Transistor canal N IRL3502, TO-220AB, 20V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 110A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL3502. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.14€

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IRL3502SPBF

Transistor canal N IRL3502SPBF, D²-PAK, TO-263, 20V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 110A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L3502S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.73€

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IRL3705N

Transistor canal N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 63A. Id (T=25°C): 89A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3600pF. C (out): 870pF. Charge: 65.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 89A. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Id(imp): 310A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 130W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10M Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.2K/W. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 94us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 1V...

3.22€

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IRL3705NPBF

Transistor canal N IRL3705NPBF, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 89A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL3705N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.14€

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IRL3705ZS

Transistor canal N IRL3705ZS, D2PAK. Boîtier: D2PAK. Charge: 40nC. Courant de drain: 86A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 130W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.14K/W. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

8.18€

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IRL3713

Transistor canal N IRL3713, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5890pF. C (out): 3130pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Rds très faible. Id(imp): 1040A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

3.26€

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IRL3713S

Transistor canal N IRL3713S, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. Id (T=100°C): 170A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: résistance passante Rds-on très faible. Quantité par boîtier: 1. Remarque: UltraLow Gate. Technologie: SMPS MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.33€

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IRL3713STRLPBF

Transistor canal N IRL3713STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5890pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 260A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L3713S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

6.51€

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IRL3803

Transistor canal N IRL3803, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 98A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 470A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

2.57€

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IRL3803PBF

Transistor canal N IRL3803PBF, TO-220AB, 30V, 0.006 Ohms, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 30V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Commande: niveau logique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain maxi: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL3803. Nombre de bornes: 3. Puissance: 200W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

3.91€

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IRL3803S

Transistor canal N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 470A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V...

2.94€

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IRL3803SPBF

Transistor canal N IRL3803SPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L3803S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.14€

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IRL40SC228

Transistor canal N IRL40SC228, D²-PAK/7, 40V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 19680pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 360A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Dissipation maximale Ptot [W]: 416W. Délai de coupure tf[nsec.]: 222 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 7. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 67 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

14.80€

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IRL520N

Transistor canal N IRL520N, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 35A. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Niveau logique. Technologie: V-MOS TO220A. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.33€

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IRL520NSPBF

Transistor canal N IRL520NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L520N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.36€

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IRL530N

Transistor canal N IRL530N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 800pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.06€

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IRL530NPBF

Transistor canal N IRL530NPBF, TO-220AB, 100V, 0.10 Ohms, 100V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Charge: 22.7nC. Commande: niveau logique. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain maxi: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Courant de drain: 17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 79W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL530NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 79W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 100M Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.9K/W. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.77€

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