Transistor canal N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V

Transistor canal N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.18€
5-24
2.86€
25-49
2.60€
50-99
2.39€
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Transistor canal N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 63A. Id (T=25°C): 89A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3600pF. C (out): 870pF. Charge: 65.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 89A. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Id(imp): 310A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 130W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10M Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.2K/W. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 94us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRL3705N
41 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
63A
Id (T=25°C)
89A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.01 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
3600pF
C (out)
870pF
Charge
65.3nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
89A
Dissipation de puissance maxi
170W
Fonction
commande par niveau logique, commutation rapide
Id(imp)
310A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Propriétés des éléments semi-conducteurs
Niveau logique
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
130W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
10M Ohms
Résistance thermique du boîtier
1.2K/W
Td(off)
37 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
55V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
2V
Tension grille-source
16V, ±16V
Tension grille/source Vgs
16V
Trr Diode (Min.)
94us
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier