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STP11NB40FP

Transistor canal N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1250pF. C (out): 210pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 42.8A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 2000VDC. RoHS: oui. Td(off): 10 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

1.84€

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STP11NM60

Transistor canal N STP11NM60, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 230pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

4.31€

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STP11NM80

Transistor canal N STP11NM80, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P11NM80. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 612 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

5.85€

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STP120NF10

Transistor canal N STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 77A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 5200pF. C (out): 785pF. Courant de drain maxi: 110A. Dissipation de puissance maxi: 312W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 440A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P120NF10. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 132 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 152 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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STP12NM50

Transistor canal N STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 550V. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.80€

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STP12NM50FP

Transistor canal N STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 550V. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50FP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.03€

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STP13NM60N

Transistor canal N STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 44A. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.30€

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STP14NF12

Transistor canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. C (in): 460pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 56A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P14NF12. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.15€

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STP14NK50ZFP

Transistor canal N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: protection par diode Zéner. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P14NK50ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

3.53€

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STP16NF06

Transistor canal N STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 315pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Capacité dv/dt exceptionnelle, faible charge de grille. Id(imp): 64A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P16NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Td(off): 7 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.00€

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STP200N4F3

Transistor canal N STP200N4F3, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3M Ohms, TO-220, TO-220, 40V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 40V. C (in): 5100pF. C (out): 1270pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: commutation, applications automobiles. Id(imp): 480A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 200N4F3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

8.13€

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STP20NM60FD

Transistor canal N STP20NM60FD, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 500pF. Dissipation de puissance maxi: 192W. Fonction: Low Gate Capacitance. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.36€

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STP20NM60FP

Transistor canal N STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.80€

Quantité en stock: 19

STP24NF10

Transistor canal N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 870pF. C (out): 125pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 85W. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P24NF10. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge d'entrée. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil de la diode: 1.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.76€

Quantité en stock: 90

STP26NM60N

Transistor canal N STP26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.135 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1800pF. C (out): 115pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 26NM60N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.98€

Quantité en stock: 27

STP30NF10

Transistor canal N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1180pF. C (out): 180pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 115W. Id(imp): 140A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge d'entrée. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.66€

Quantité en stock: 37

STP36NF06

Transistor canal N STP36NF06, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 690pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: trr 65ns, dv/dt performant. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P36NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 27 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.26€

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STP3NK80Z

Transistor canal N STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: très haut rapport dv/dt, pour applications de commutation. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

0.97€

Quantité en stock: 79

STP3NK90ZFP

Transistor canal N STP3NK90ZFP, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=100°C): 1.89A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 590pF. C (out): 63pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 12A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.81€

Quantité en stock: 49

STP4NB80FP

Transistor canal N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.87€

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STP55NE06

Transistor canal N STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3050pF. C (out): 380pF. Dissipation de puissance maxi: 130W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 220A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P55NE06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.70€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 2

STP55NF06

Transistor canal N STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V. Vdss (tension drain à source): 60V. Id (T=100°C): 35A. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1300pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 50A. Id(imp): 200A. Idss (min): 1uA. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: P55NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Série: -. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.23€

Quantité en stock: 121

STP5NK60ZFP

Transistor canal N STP5NK60ZFP, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 690pF. C (out): 90pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK60ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: -55°C...+150°C. Td(off): 36ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+ °C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 485 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.60€

Quantité en stock: 84

STP5NK80Z

Transistor canal N STP5NK80Z, 800V, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Tension drain - source (Vds): 800V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 910pF. C (out): 98pF. Courant de drain maxi: 4.3A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 17.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.49€

Quantité en stock: 36

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