Transistor canal N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Transistor canal N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.64€
5-24
1.44€
25-49
1.27€
50-99
1.11€
100+
0.90€
Quantité en stock: 37

Transistor canal N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1180pF. C (out): 180pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 115W. Id(imp): 140A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge d'entrée. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP30NF10
33 paramètres
Id (T=100°C)
25A
Id (T=25°C)
35A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.038 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
100V
C (in)
1180pF
C (out)
180pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
115W
Id(imp)
140A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
faible charge d'entrée
Td(off)
45 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension de seuil de la diode
1.3V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
110us
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics