Transistor canal N STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Transistor canal N STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
6.71€
5-24
6.05€
25-49
5.61€
50-99
5.28€
100+
4.78€
Quantité en stock: 21

Transistor canal N STP20NM60FP, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP20NM60FP
31 paramètres
Id (T=100°C)
12.6A
Id (T=25°C)
20A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.025 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
600V
C (in)
1500pF
C (out)
350pF
Dissipation de puissance maxi
45W
Fonction
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
Id(imp)
80A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P20NM60FP
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
6 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
MDmesh™ MOSFET
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
390 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics