Recherche de produit: 7-00-HC49 - RPtronics. Page 3 sur 7

Q67040-S4624

Transistor canal N Q67040-S4624, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 30pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N65C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V...

4.81€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 436

RK7002

Transistor canal N RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Id (T=25°C): 115mA. Idss (maxi): 115mA. Résistance passante Rds On: 7.5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 60V. C (in): 25pF. C (out): 10pF. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Fonction: Interface et commutation. Id(imp): 0.8A. Marquage sur le boîtier: RKM. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

0.74€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 960

SPA07N60C3

Transistor canal N SPA07N60C3, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 260pF. Dissipation de puissance maxi: 32W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.65€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 151

SPD08N50C3

Transistor canal N SPD08N50C3, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 560V. C (in): 750pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 22.8A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 08N50C3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.92€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 82

SPP07N60S5

Transistor canal N SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 30pF. C (out): 55pF. Date de production: 2015/05. Dissipation de puissance maxi: 83W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 14.6A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N60S5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Td(off): 170 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 750 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

3.09€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 72

STP9NK50Z

Transistor canal N STP9NK50Z, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.58€

Quantité en stock: 79

STP9NK50ZFP

Transistor canal N STP9NK50ZFP, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 910pF. C (out): 125pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK50ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 238 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.42€

Quantité en stock: 123

STW14NK50Z

Transistor canal N STW14NK50Z, TO-247, 500V, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.38 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. Idss (min): 1mA. Marquage du fabricant: W14NK50Z. Marquage sur le boîtier: W14NK50Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.93€

+23 rapidement
Quantité en stock: 51

2SK2750

Transistor canal N 2SK2750, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 65pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K2750. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 85 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSV). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.25€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 69

2SK3564

Transistor canal N 2SK3564, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 700pF. C (out): 75pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 9A. Marquage sur le boîtier: K3564. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.55€

Quantité en stock: 58

3LN01SS

Transistor canal N 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. Id (T=25°C): 0.15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SSFP. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 7pF. C (out): 5.9pF. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.27€

Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 10

FQPF8N60C

Transistor canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 965pF. C (out): 105pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1255pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 12pF. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQPF8N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 45 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 365ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.23€

+13 rapidement
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible

FQPF9N50CF

Transistor canal N FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 790pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 44W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 93 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.43€

Quantité en stock: 35

IPB014N06NATMA1

Transistor canal N IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO263-7. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 214W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: OptiMOS Power. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.08€

Quantité en stock: 44

IPB80N06S2-09

Transistor canal N IPB80N06S2-09, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2360pF. C (out): 610pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0609. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.74€

Quantité en stock: 159

IPD50N03S2L-06

Transistor canal N IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 27uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1900pF. C (out): 760pF. Dissipation de puissance maxi: 136W. Fonction: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: PN03L06. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V...

2.25€

Quantité en stock: 35

STW5NK100Z

Transistor canal N STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Id (T=100°C): 2.2A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 2.7 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 1154pF. C (out): 106pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W5NK100Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 22.5 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 605 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.95€

Quantité en stock: 14

TK8A65D-STA4-Q-M

Transistor canal N TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10U1B. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1350pF. C (out): 135pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 30Ap. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K8A65D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.81€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 75

2N7002

Transistor canal N 2N7002, SOT-23 ( TO-236 ), 60V, 60V, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 60V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (tension drain à source): 60V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 0.075A. Id (T=25°C): 0.115A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 7.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.280A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 7 Ohms @ 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Transistor MOSFET à petits signaux. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.28A. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 1uA. Information: -. MSL: 1. Marquage du fabricant: 72. Marquage sur le boîtier: 702. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohms / 500mA / 10V. Spec info: 702. Série: -. Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: V-MOS. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Tension grille/source Vgs (Max): -30V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de montage: SMD. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.0519€

+2111 rapidement
Quantité en stock: 1337

2SK3567

Transistor canal N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (maxi): 3.5A. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 14A. Marquage sur le boîtier: K3567. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.01€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 89

BSS138

Transistor canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 0.22A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 27pF. C (out): 13pF. Courant de drain: 220mA. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Id(imp): 0.88A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 360mW. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. RoHS: oui. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V...

0.0883€

+83401 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 274

AOT10N60

Transistor canal N AOT10N60, TO220. Boîtier: TO220. Charge: 31nC. Courant de drain: 10A, 7.2A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 250W. RoHS: oui. Tension drain - source: 600V. Tension grille-source: ±30V. Type de transistor: N-MOSFET...

4.04€

Quantité en stock: 10

2SK3566

Transistor canal N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 470pF. C (out): 50pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 7.5A. Marquage sur le boîtier: K3566. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 720 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.18€

Quantité en stock: 43

BSS123

Transistor canal N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (tension drain à source): 100V. Id (T=25°C): 150mA. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 23pF. C (out): 6pF. Courant de drain: 170mA. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Equivalences: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 150mA. Id(imp): 600mA. Idss (min): 10uA. Information: -. MSL: 1. Marquage du fabricant: BSS123-7-F. Marquage sur le boîtier: SA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 360mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 6 Ohms. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Série: -. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension d'entraînement: -. Tension drain - source: 100V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de canal: N. Type de montage: SMD. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.0789€

+84137 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 2690

Rechercher "7-00-HC49"