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FQP44N10

Transistor canal N FQP44N10, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 30.8A. Id (T=25°C): 43.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 425pF. Dissipation de puissance maxi: 146W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 174A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 98 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.05€

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FQP46N15

Transistor canal N FQP46N15, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. Id (T=100°C): 32.2A. Id (T=25°C): 45.6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.033 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2500pF. C (out): 520pF. Dissipation de puissance maxi: 210W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 182A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 210 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.95€

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FQP5N60C

Transistor canal N FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'enhancement mode power field effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.50€

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FQP7N80

Transistor canal N FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1420pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.55€

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FQP7N80C

Transistor canal N FQP7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 27nC, faible Crss 10pF. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

2.49€

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FQP85N06

Transistor canal N FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 300A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 175 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.54€

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FQPF11N50CF

Transistor canal N FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1515pF. C (out): 185pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 43nC, faible Crss 20pF. Id(imp): 44A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 120ns. Td(on): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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FQPF19N20

Transistor canal N FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 11.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1220pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.45€

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FQPF19N20C

Transistor canal N FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Dissipation de puissance maxi: 43W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

2.53€

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FQPF3N80C

Transistor canal N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 543pF. C (out): 54pF. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 13nC, faible Crss 5.5pF. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 642 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.97€

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FQPF4N90C

Transistor canal N FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 740pF. C (out): 65pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 47W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

2.02€

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FQPF5N50C

Transistor canal N FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 480pF. C (out): 80pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 18nC, faible Crss 15pF. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 263 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.60€

Quantité en stock: 60

FQPF5N60C

Transistor canal N FQPF5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 33W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.30€

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FQPF7N80C

Transistor canal N FQPF7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 56W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (40nC typique), Low Crss 10pF. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

5.11€

Quantité en stock: 66

FQPF8N80C

Transistor canal N FQPF8N80C, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 955pF. C (out): 100pF. Date de production: 201432. Dissipation de puissance maxi: 59W. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.24€

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FQPF9N50CF

Transistor canal N FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 790pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 44W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 93 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.43€

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FQPF9N90C

Transistor canal N FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 40nC, faible Crss 14pF. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.71€

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$FQT1N60CTF$

FQT1N60CTF

Transistor canal N FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 9.3 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 600V. C (in): 130pF. C (out): 19pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FQT1N60C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.75€

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FS10KM-12

Transistor canal N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 30A. Idss (min): na. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.32€

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FS7KM-18A

Transistor canal N FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 1.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1380pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 180 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.69€

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HGTG12N60A4D

Transistor canal N HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Ic(T=100°C): 23A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 96A. Courant de collecteur Ic [A]: 54A. Courant de collecteur: 54A. Date de production: 2014/17. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 167W. Dissipation maximale Ptot [W]: 167W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Fonction: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Ic(puls): 96A. Marquage du fabricant: 12N60A4D. Marquage sur le boîtier: 12N60A4D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.6V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

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HGTG30N60A4D

Transistor canal N HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 240A. Courant de collecteur Ic [A]: 75A. Courant de collecteur: 75A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 463W. Dissipation maximale Ptot [W]: 463W. Délai de coupure tf[nsec.]: 150 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Ic(puls): 240A. Marquage du fabricant: G30N60A4. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

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HUF75307D3

Transistor canal N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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HUF75307D3S

Transistor canal N HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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