Transistor canal N FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 1.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1380pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 180 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45