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2SK3936

Transistor canal N 2SK3936, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 4250pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 92A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI). Température: +150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 380 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

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2SK4012-Q

Transistor canal N 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2400pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 52A. Marquage sur le boîtier: K4012. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 95 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS VI). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.03€

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2SK4013-Q

Transistor canal N 2SK4013-Q, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( 2-10U1B ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 1400pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 18A. Marquage sur le boîtier: K4013 Q. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 220 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS IV). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.86€

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2SK4108

Transistor canal N 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.21 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3400pF. C (out): 320pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Idss (min): n/a. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 280 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (MOS VI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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2SK904

Transistor canal N 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 900pF. C (out): 90pF. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: Commutation à grande vitesse. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Samsung B4054-0018. Td(off): 150 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V...

4.14€

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AOD5T40P

Transistor canal N AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 3.9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 400V. C (in): 273pF. C (out): 16pF. Dissipation de puissance maxi: 52W. Id(imp): 15A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 172ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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AOD9N50

Transistor canal N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.71 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. : 'enhanced'. C (in): 962pF. C (out): 98pF. Charge: 13.1nC. Courant de drain: 5.7A. Dissipation de puissance maxi: 178W. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 178W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 332ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V...

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AP88N30W

Transistor canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 48A. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 48m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 8440pF. C (out): 1775pF. Dissipation de puissance maxi: 312W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 88N30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: 'Enhancement-mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V...

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APT5010JFLL

Transistor canal N APT5010JFLL, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 4360pF. C (out): 895pF. Dissipation de puissance maxi: 378W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 164A. Idss (min): 250uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 280 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

40.60€

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APT5010JVR

Transistor canal N APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 7400pF. C (out): 1000pF. Dissipation de puissance maxi: 450W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 176A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

40.25€

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APT8075BVRG

Transistor canal N APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Dissipation de puissance maxi: 260W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

32.68€

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BUK455-600B

Transistor canal N BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 750pF. C (out): 90pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2.1V...

4.65€

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BUK7611-55A-118

Transistor canal N BUK7611-55A-118, 61A, 75A, 1uA, 0.009 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2230pF. C (out): 510pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 166W. Id(imp): 347A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 84 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.16€

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BUK7620-55A-118

Transistor canal N BUK7620-55A-118, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 54A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1200pF. C (out): 290pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 118W. Id(imp): 217A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 70 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

7.71€

Quantité en stock: 1

BUZ72A

Transistor canal N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 330pF. C (out): 90pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Id(imp): 44A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.73€

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BUZ77B

Transistor canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 460pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Idss (min): 0.1uA. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

1.99€

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FCPF11N60

Transistor canal N FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V. Tension drain - source (Vds): 650V. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Courant de drain maxi: 11A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. Technologie: SuperFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.99€

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FDA16N50-F109

Transistor canal N FDA16N50-F109, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 16.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.31 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1495pF. C (out): 235pF. Dissipation de puissance maxi: 205W. Fonction: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FDA16N50. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 490 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.12€

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FDA24N40F

Transistor canal N FDA24N40F, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 400V. C (in): 2280pF. C (out): 370pF. Dissipation de puissance maxi: 235W. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FDA24N40F. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 120ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.60€

Quantité en stock: 60

FDA59N25

Transistor canal N FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 59A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.041 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 3090pF. C (out): 630pF. Dissipation de puissance maxi: 392W. Fonction: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

5.49€

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FDA69N25

Transistor canal N FDA69N25, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 44.2A. Id (T=25°C): 69A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.034 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 3570pF. C (out): 750pF. Dissipation de puissance maxi: 480W. Fonction: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 95 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.88€

Quantité en stock: 29

FDD770N15A

Transistor canal N FDD770N15A, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. Id (T=100°C): 11.4A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 61m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 575pF. C (out): 64pF. Dissipation de puissance maxi: 56.8W. Fonction: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: High performance trench technology. RoHS: oui. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Td(off): 15.8 ns. Td(on): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 56.4 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.86€

Quantité en stock: 64

FDH3632

Transistor canal N FDH3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6000pF. C (out): 820pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

8.61€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 30

FDP18N50

Transistor canal N FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 10.8A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2200pF. C (out): 330pF. Dissipation de puissance maxi: 235W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.39€

Quantité en stock: 46

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