Recherche de produit: transistor j107 - RPtronics. Page 16 sur 42

FS10KM-12

Transistor canal N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 30A. Idss (min): na. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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FS10TM12

Transistor canal N FS10TM12, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 10A. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: Ifsm--30App. Id(imp): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.01€

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FS12KM-5

Transistor canal N FS12KM-5, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.05€

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FS12UM-5

Transistor canal N FS12UM-5, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

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FS75R12KE3GBOSA1

Transistor canal N FS75R12KE3GBOSA1, 75A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 5300pF. Courant de collecteur: 100A. Dimensions: 122x62x17.5mm. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 355W. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Ic(puls): 150A. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 35. Remarque: 6x IGBT+ CE Diode. RoHS: oui. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

343.85€

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FS7KM-18A

Transistor canal N FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 1.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1380pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 180 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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FZ1200R12HP4

Transistor canal N FZ1200R12HP4, 1200A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 74pF. Courant de collecteur: 1790A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 7150W. Fonction: ICRM--Tp=1mS 2400A. Ic(puls): 2400A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 7. RoHS: non. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Td(off): 0.92 ns. Td(on): 0.41 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de seuil Vf (max): 2.35V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

669.76€

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G60N04K

Transistor canal N G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1800pF. C (out): 280pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 200A. Idss (min): n/a. Marquage sur le boîtier: G60N04K. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V...

1.95€

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GJ9971

Transistor canal N GJ9971, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: transistor à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--80A pulse. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

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GT30J322

Transistor canal N GT30J322, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P( GCE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 30A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: 'Current Resonance Inverter Switching'. Ic(puls): 100A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Td(off): 400 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V. Type de canal: N...

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GT30J324

Transistor canal N GT30J324, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4650pF. Courant de collecteur: 30A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Ic(puls): 60A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.45V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

4.68€

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GT35J321

Transistor canal N GT35J321, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Boîtier: TO-3P( N )IS. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 37A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Ic(puls): 100A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Type de canal: N...

7.48€

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HGTG10N120BND

Transistor canal N HGTG10N120BND, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 35A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 298W. Ic(puls): 80A. Marquage sur le boîtier: 10N120BND. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

5.86€

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HGTG12N60A4D

Transistor canal N HGTG12N60A4D, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Ic(T=100°C): 23A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 96A. Courant de collecteur Ic [A]: 54A. Courant de collecteur: 54A. Date de production: 2014/17. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 167W. Dissipation maximale Ptot [W]: 167W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Fonction: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Ic(puls): 96A. Marquage du fabricant: 12N60A4D. Marquage sur le boîtier: 12N60A4D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.6V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

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HGTG12N60C3D

Transistor canal N HGTG12N60C3D, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 24A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 104W. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Ic(puls): 96A. Marquage sur le boîtier: G12N60C3D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: non. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

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HGTG20N60B3D

Transistor canal N HGTG20N60B3D, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 165W. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Ic(puls): 160A. Marquage sur le boîtier: G20N60B3D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Temps de chute typique 140ns à 150°C. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

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HGTG30N60A4

Transistor canal N HGTG30N60A4, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 75A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 463W. Fonction: SMPS Series IGBT. Ic(puls): 240A. Marquage sur le boîtier: G30N60A4. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

10.83€

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HGTG30N60A4D

Transistor canal N HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 240A. Courant de collecteur Ic [A]: 75A. Courant de collecteur: 75A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 463W. Dissipation maximale Ptot [W]: 463W. Délai de coupure tf[nsec.]: 150 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Ic(puls): 240A. Marquage du fabricant: G30N60A4. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

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HGTG40N60A4

Transistor canal N HGTG40N60A4, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 75A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 625W. Ic(puls): 300A. Marquage sur le boîtier: 40N60A4. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Td(off): 145 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

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HGTG5N120BND

Transistor canal N HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Courant de collecteur: 25A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 167W. Ic(puls): 40A. Marquage sur le boîtier: 5N120BND. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

5.46€

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HUF75307D3

Transistor canal N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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HUF75307D3S

Transistor canal N HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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HUF75344G3

Transistor canal N HUF75344G3, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Dissipation de puissance maxi: 285W. Fonction: Régulateur à découpage. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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HUF75344P3

Transistor canal N HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. : 'enhanced'. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Courant de drain: 75A. Dissipation de puissance maxi: 285W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 285W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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